ABB 继电器输出模块  XO08R2 1SBP260109R1001

ABB 继电器输出模块  XO08R2 1SBP260109R1001

ABB 继电器输出模块  XO08R2 1SBP260109R1001

ABB XO08R2 1SBP260109R1001 是一个非常重要的方面，横河在DCS上。CENTUM于1975年推出。它一直被称为CENTUM。因此，横河总是有一个非常长的生命周期实践，他们的用户也期望如此。他们习惯了长生命周期支持。这包括控制站，所有与CENTUM VP相关的IO子系统。由于功能块现在是标准库的一部分，当软件的新版本发布时，它们必须经过相同的QA验证。它们必须像过程控制模块一样进行测试。现在，它们包括等式的压缩机控制端。所以，同样的QA验证软件通过。此外，随着横河新版本新功能的发布，例如我们刚刚发布了6.10。自从引入CCC Inside(包括防喘振和性能控制，几个月前发布的最新版本)以来，他们发布了主控制模块、速度控制模块、提取控制模块和通信监控模块。

ABB XO08R2 1SBP260109R1001 这些改进现在支持多压缩机组，例如汽轮机控制。此外，Yokogawa还引入了对两种IO子系统的支持，这两种子系统被称为FIO和NIO。我们的用户不太熟悉这些术语，所以我们也支持涡轮机械控制模块。但底线是，横河CENTUM系统上使用的CCC内部功能块在发布时都经过相同的次要和主要软件版本的QA测试。并且对硬件进行了增强。它的客户不需要购买任何新系统。用于过程控制的同一控制器或同一现场控制器也用于压缩机控制。我们不需要任何不同的备件。任何CPU，电源，都是一样的。这与CENTUM VP DCS在压缩机侧的过程侧使用的稳健操作相同。对于客户来说，两边依赖相同的硬件非常方便。

二极管由一种晶体制成半导体，通常是硅，但是锗和砷化镓也被使用。杂质被添加到其中，以在一侧创建一个包含负片的区域电荷载体(电子)，称为电子n型半导体，另一侧的区域包含正电荷载流子(洞)，称为ap型半导体。当n型和p型材料附着在一起时，从n侧到p侧出现瞬时电子流，导致两者之间不存在电荷载流子的第三区域。这个区域被称为阻挡层因为里面没有电荷载流子(既没有电子也没有空穴)。二极管的端子连接到n型和p型区域。这两个区域之间的边界称为pn结是二极管发挥作用的地方。当足够高的电位应用于P侧(阳极)比N侧(的阴极)，它允许电子通过耗尽区从N型侧流向P型侧。当反向施加电势时，结不允许电子向相反的方向流动，在某种意义上产生了电场止回阀。

半导体二极管在电路中的行为由它的电流-电压特性。曲线的形状是由电荷载流子通过所谓的耗尽层或者阻挡层存在于pn结不同半导体之间的差异。当p-N结第一次形成时，来自N-N结的导带(移动)电子掺有杂质的区域扩散到P-掺有杂质的有大量空穴(电子的空位)的区域，电子与这些空穴“复合”。当移动的电子与空穴复合时，空穴和电子都消失了，在N侧留下一个固定的带正电荷的施主(掺杂剂),在P侧留下带负电荷的受主(掺杂剂)。pn结周围的区域耗尽了电荷载体因此表现为一个绝缘体。

XO08R2 1SBP260109R1001然而，耗尽区的宽度(称为耗尽宽度)不能无限制地增长。对于每个电子空穴对重组，带正电掺杂物离子留在N型掺杂区，带负电荷的掺杂离子在P型掺杂区产生。随着复合的进行和更多离子的产生，通过耗尽区产生一个逐渐增加的电场，该电场的作用是减缓并最终停止复合。在这一点上，耗尽区有一个“固有”电位。

如果在二极管两端施加与内置电势极性相同的外部电压，耗尽区将继续充当绝缘体，阻止任何显著的电流流动(除非电子空穴对在接合处被活跃地创造出来，例如，光；看见光电二极管).这被称为反偏压现象。

正向偏压[编辑]

XO08R2 1SBP260109R1001然而，如果外部电压的极性与内置电势相反，复合会再次进行，导致大量电流通过p–n结(即大量电子和空穴在结处复合)。因此，如果施加的外部电压大于内建电压并且与内建电压相反，电流将会流动，二极管被称为“导通”,因为它已经被施加了外部电压正向偏压。

为简单起见，二极管通常被称为具有正向阈值电压高于该值时导电，低于该值时导电停止。然而，这只是一个近似值，因为正向特性在其电流-电压曲线中是渐变的。

各种半导体的正向阈值电压[编辑]

• 硅二极管:0.6伏至0.7伏V
• 锗二极管:0.25 V至0.3 V
• 肖特基二极管:0.15 V至0.45 V
• 发光二极管(发光二极管):1.4伏(红色)到4.0伏(蓝色)。发光二极管物理材料有一个完整的列表。

电流较高时，二极管的正向压降增加。功率二极管在全额定电流下的典型值为1 V至1.5 V。(另请参见:整流器整流器电压降)