ABB 高压变频器 UBC717AE01 HIEE300927R0101

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KUC720AE01 3BHB003431R0101 仅适用于要求低功耗的应用
Lee Boysel发表了一些有影响力的文章，包括1967年的“宣言”,其中描述了如何从相对较少的大规模集成化电路(大规模集成电路)。42制造大规模集成电路芯片的唯一方法是使用金属-氧化物-半导体(MOS)半导体制造工艺(要么PMOS逻辑,NMOS逻辑，或者互补型金属氧化物半导体逻辑)。然而，一些公司继续用双极制造处理器晶体管–晶体管逻辑(TTL)芯片，因为直到20世纪70年代双极结型晶体管都比MOS芯片快(少数公司如数据点直到20世纪80年代早期，一直在用TTL芯片制造处理器)。[43]20世纪60年代，MOS ICs速度较慢，最初被认为仅适用于要求低功耗的应用。44随着…的发展硅门MOS技术由费德里科·费金在1968年的飞兆半导体，MOS ICs在20世纪70年代初基本上取代了双极性TTL成为标准芯片技术。[46]

作为微电子的随着技术的进步，越来越多的晶体管被放置在集成电路上，减少了一个完整的CPU所需的单个集成电路的数量。MSI和LSI集成电路将晶体管数量增加到数百，然后数千。到1968年，构建一个完整的CPU所需的IC数量已经减少到8种不同类型的24个IC，每个IC包含大约1000个MOSFETs。[47]与其SSI和MSI前辈形成鲜明对比的是，PDP-11的第一个LSI实现包含一个仅由四个LSI集成电路组成的CPU。

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