SPI接口的SRAM：APS6404L

一、前言

这个小型的电子胸牌上有很多奇特的元器件。这个 AP Memory 是一个 SPI 接口的 SRAM。它具有 8M字节的容量。下面对它进行初步测试。

二、制作测试电路

这颗具有SPI接口的RAM，工作电流从 2.7V 到3.6V。它的封装似乎具有通用性，也就是和 2020年，我测试的另外一款SPI接口的RAM 相同，型号为 24LC1024。下面就使用相同的封装建立测试电路。

▲ 图1.2.1 APMemory 的封装

  使用STM32F103作为测试控制器，使用它的 六个 IO 连接 SRAM，完成读写。利用快速制版方法，制作测试电路。一分钟后得到测试电路板。焊接元器件，其中的一个跳线，使用 0 欧姆电阻完成。下面对其进行测试。

▲ 图1.2.2 测试电路原理图

▲ 图1.2.3 测试电路PCB

ADTest2023TestAPM.PcbDoc

▲ 图1.2.4 使用焊锡膏焊接芯片，非常完美

三、测试结果

焊接电路板之后，对 APS6404L进行测试。测试 APS6404 的基本读写功能，然后在测试它的容量以及读写速度。根据 APS6404的数据手册，编写最基本的慢速SPI读写过程，利用 普通的 IO口模拟 SPI序列，这样便于移植。下载程序。基本读写功能正常。

▲ 图1.3.1  测试电路板

  下面测试一下模拟SPI读写 串口RAM的速度。利用LED灯输出端口标志对RAM读写的起始时刻，对APS6404L填充 0x800 个零。 通过测试LED灯端口电压信号 来测量读写所使用的时间。然后除以 0x800 之后，便可以获得读写RAM 单个字节的平均时间了。这里测量访问时间为 4.62ms。单个字节访问时间为 2.25微秒。

▲ 图1.3.2  读写时间

  由于是采用了模拟SPI口的方式，所以访问单个字节所需要的时间比较长。如果将整个8兆字节全部读一遍，需要花费19秒钟的时间。后面可以通过单片机 SPI 硬件，便可以提高读取速度，也可以通过 四路 IO 同时访问的形式，来提高读写的速度。

※ 总  结 ※

本文记录了对SPI接口的串行SRAM进行了测试。RAM的型号为APS6404L。测试了基本读写功能，为之后的应用提供了经验。赛读写速度方面并没有发挥它的最高接口速度。

参考资料

[1]APS6404L-3SQR QSPI PSRAM: https://www.apmemory.com/wp-content/uploads/APM_PSRAM_QSPI-APS6404L-3SQR-v2.3-PKG.pdf

[2]单片机片外RAM，串行的: https://blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298/article/details/105891541

[3]23A1024/23LC1024: https://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/20005142C.pdf